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3Dトランジスタは、そもそも日立が1989年12月にIEDMで発表した論文「A fully depleted lean-channel transistor (DELTA)-a novel vertical ultrathin SOI MOSFET」に端を発していると言われる。基本的な考え方は、電子の通り道であるチャネルを立体化することで、1方向ではなく2～4方向からチャネルをゲートで囲ってしまう。こうした3D構造は、トランジスタとして理想に近いため、各社がトランジスタの将来型として研究を進めてきた。
